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SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的海力长期发展规划,SK海力士计划推出16层堆叠的布远HBM 4以及8层、12层和16层堆叠的景产HBM4E,DRAM和NAND,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,而标准的上限是48Gbps,线路图上出现了GDDR7-Next,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。HBM5E以及其定制版本,
DRAM市场方面,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,下面我们一起来看看他们的线路图。
NAND方面,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、还有很大潜力可以挖掘,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,MRDIMM Gen2、线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,
在2029至2031年,
在2026至2028年,